Рекорд Roundhill Memory ETF обогнал BlackRock по скорости притока капитала.
Назад к новостям

Рекорд Roundhill Memory ETF: фонд DRAM обогнал BlackRock по скорости притока капитала.

на мировых финансовых рынках зафиксирован новый исторический прецедент в сфере коллективных инвестиций. Пока доходность 30-летних облигаций США пробивает 5%, а Кевин Уорш принимает бразды правления ФРС, сектор полупроводников породил самый успешный биржевой фонд планеты.

Всего за пять недель после запуска фонд Roundhill Memory ETF (DRAM) привлек колоссальные $6 млрд, побив легендарный рекорд BlackRock Bitcoin ETF, установленный два года назад.


Хроника исторического триумфа

Фонд DRAM, запущенный 2 апреля 2026 года, продемонстрировал аномальную динамику, которую аналитики Уолл-стрит уже назвали «кремниевым цунами»:

  • Первый миллиард: Собран всего за 10 торговых дней с момента старта.

  • Дневной рекорд: В прошлую пятницу чистый приток за одну торговую сессию составил $1 млрд.

  • Розничный ажиотаж: По данным Vanda Research, частные инвесторы в один из дней вложили в DRAM $55 млн — это абсолютный рекорд, превысивший даже дневные вливания розничных трейдеров в акции Nvidia.


В чем секрет успеха DRAM?

До появления Roundhill Memory большинство полупроводниковых фондов предлагали инвесторам экспозицию в основном на американскую Micron. Фонд DRAM заполнил уникальную нишу, объединив ключевых азиатских технологических гигантов, чьи акции торгуются на локальных биржах и исторически сложны для прямой покупки западными инвесторами.

Архитектура фонда включает триумвират лидеров памяти:

  1. Samsung Electronics: Недавно укрепившая свой статус в клубе триллионеров.

  2. SK Hynix: Ключевой поставщик высокоскоростной памяти (HBM) для ИИ-ускорителей.

  3. Micron Technology: Лидер американского рынка чипов памяти.

Стратег Interactive Brokers Стив Сосник подчеркнул, что DRAM стал идеальным «мостом» для покупки дефицитных корейских, японских и тайваньских акций, которые сейчас находятся на пике востребованности из-за ИИ-бума.


Обратная сторона бума: Риски перегрева

Несмотря на триумфальное шествие, рынок памяти на этой неделе продемонстрировал первые признаки технической коррекции. Во вторник котировки DRAM упали на 7%, обогнав по темпам снижения индекс Philadelphia SOX.

Тем не менее, аналитики отмечают, что фонд продолжает торговаться выше своих ключевых скользящих средних, а текущий откат рассматривается крупным капиталом как классическая фиксация прибыли на перекупленном рынке.


Глобальный контекст: 15 мая 2026 года

Успех DRAM подчеркивает глобальную макроэкономическую аномалию мая 2026 года:

  • Бегство от инфляции: На фоне инфляции в США на уровне 3,8% и нефти Brent по $107,49, инвесторы бегут из классического фикса (облигаций) в реальные технологические активы, способные генерировать высокую маржу.

  • Борьба за чипы в Пекине: Бум DRAM совпал с визитом Дженсена Хуанга и Дональда Трампа в Китай, где решается судьба поставок чипов Nvidia H200. Мировой голод на микросхемы памяти только усиливается, так как без них невозможно функционирование ни серверов Nvidia, ни процессоров Cerebras.

  • ИИ в каждый дом: Презентация ИИ-ноутбуков Googlebook от Google доказывает, что спрос на оперативную и флеш-память смещается из дата-центров в потребительский сектор. Каждому новому ИИ-ПК требуется в 2-3 раза больше DRAM, чем старому Chromebook.

  • Альтернативный капитал: Инвесторы, уставшие от волатильности биткоина ($82 000), видят в Roundhill Memory ETF осязаемый, фундаментальный актив, подкрепленный реальными заводами и патентами Samsung и SK Hynix.


Мнение Vanda Research

«Мы наблюдаем уникальное явление. Розничные инвесторы больше не хотят покупать просто «бигтех». Они спустились на уровень ниже — в цепочку поставок. Понимание того, что ИИ не может существовать без чипов памяти, сделало DRAM главным символом полупроводниковой лихорадки 2026 года», — резюмирует Вирадж Патель.